Sn掺杂CsPbI₃纳米带在光电探测中的应用

摘要

本发明涉及一种全无机钙钛矿光电材料的应用。Sn掺杂CsPbI₃纳米带为CsPb_0.922Sn_0.078I₃钙钛矿纳米带，其应用方法：将表面覆盖SiO₂的Si基底分别在丙酮、乙醇和蒸馏水中超声处理，然后在紫外臭氧清洗剂中处理；将CsPb_0.922Sn_0.078I₃钙钛矿纳米带分散在己烷中形成透明溶液，并滴在已处理的Si基底上；采用光刻、热蒸镀和剥离，在纳米带上依次沉积Au叉指电极，组装成纳米带光电探测器；将光电探测器作为工作器件，将其置于四探针测试平台上，利用半导体测试系统测试其光探性能。CsPb_0.922Sn_0.078I₃钙钛矿纳米带可有效地应用在光电探测中，具有高性能和稳定性。