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基于EB-PVD制备纳米碳化物增强基体稳定性的方法

摘要

本发明公开了一种基于EB‑PVD制备纳米碳化物增强基体稳定性的方法,采用EB‑PVD设备沉积一层致密碳膜,结合扩散处理,使得碳元素与单晶高温合金基体近表面区域中难熔元素结合原位生成弥散分布的纳米碳化物,将难熔元素以碳化物的形式固定在基体内,以抑制基体中难熔元素在服役过程中的损失速度,并增强基体的高温组织稳定性,防止在服役过程中产生二次反应区(SRZ)。本发明采用EB‑PVD设备在单晶基体上沉积碳膜,采用纯碳作为碳源,克服了在扩散中碳活度的差异,保持了碳活度的一致性,避免其他渗碳过程,如化学气相渗碳过程中气体成分波动或碳活度不易控制等问题,提高了碳化物数量、形貌、分布以及深度的可控性。

著录项

  • 公开/公告号CN111041428B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN201911298682.8

  • 发明设计人 孙井永;彭王强;郭洪波;

    申请日2019-12-17

  • 分类号C23C14/30(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/58(20060101);C23C14/02(20060101);C23C8/64(20060101);C25D3/50(20060101);C25D5/40(20060101);C25D5/50(20060101);C23C10/48(20060101);

  • 代理机构11668 北京航智知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈磊;张桢

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2022-08-23 11:32:58

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