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一种β-环糊精修饰的CdTe量子点及其制备方法

摘要

本发明公开了一种β‑环糊精修饰的CdTe量子点及其制备方法,所述的β‑环糊精修饰的CdTe量子点由6位全取代氨基β‑环糊精与活化好的含羧基CdTe量子点发生偶联反应制备得到。相对于现有技术,本发明提供的β‑环糊精修饰的CdTe量子点原料易得、易于制备且稳定性更好,有利于推广使用,有助于催动量子点荧光探针工业化合成。

著录项

  • 公开/公告号CN109943337B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京工业大学;

    申请/专利号CN201711400218.6

  • 发明设计人 迟波;马学彬;张雪瑾;

    申请日2017-12-21

  • 分类号C09K11/88(20060101);C09K11/02(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构32237 江苏圣典律师事务所;

  • 代理人胡建华

  • 地址 210000 江苏省南京市鼓楼区新模范马路5号

  • 入库时间 2022-08-23 11:32:17

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