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用于太阳能电池制造中的固相外延再生长的直流离子注入

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摘要

一种用于太阳能电池的离子注入的装置和方法。本公开提供了提高的产量，并且修复或消除了SPER退火步骤后的缺陷。利用连续高剂量的注入，衬底被连续注入，造成有效的缺陷累积(即非晶化)，同时可抑制动态的自退火。

公开/公告号CN107039251B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-09

原文格式PDF
申请/专利权人因特瓦克公司;
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申请/专利号CN201710051689.4
发明设计人 M·春;B·阿迪博;
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申请日2011-11-17
分类号H01L21/223(20060101);H01L21/324(20060101);H01L31/068(20120101);H01L31/18(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛;夏青
地址美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 11:31:24

1. 用于太阳能电池制造中的固相外延再生长的直流离子注入 [P] . 中国专利： CN107039251B . 2021.02.09
2. 用于太阳能电池制造中的固相外延再生长的直流离子注入 [P] . 中国专利： CN107039251A . 2017-08-11
3. This application claims the benefit of US Provisional Patent Application No. 61 / 414,588, filed Nov. 17, 2010, all of which relates to DC ion implantation for solid phase epitaxial regrowth in solar cell manufacturing. Is incorporated herein by reference. [P] . 日本专利： JP2014502048A . 2014-01-23

机译：本申请要求2010年11月17日提交的美国临时专利申请No.61 / 414,588的权益，其全部涉及用于太阳能电池制造中的固相外延再生的DC离子注入。通过引用并入本文。
4. Semiconductor substrate with solid phase epitaxial regrowth with reduced depth of doping profile and method of producing same [P] . 美国专利： US8357595B2 . 2013-01-22

机译：具有减小的掺杂轮廓深度的固相外延再生长的半导体衬底及其制造方法
5. Semiconductor substrate with solid phase epitaxial regrowth with reduced junction leakage and method of producing same [P] . 美国专利： US8187959B2 . 2012-05-29

机译：具有减小的结泄漏的具有固相外延再生长的半导体衬底及其制造方法