一种具有深槽电场屏蔽结构的平面栅IGBT器件

摘要

本发明涉及功率半导体领域，提供一种具有深槽电场屏蔽结构的平面栅IGBT器件，用以克服现有的具有载流子存储层的槽栅IGBT栅驱电荷过大、短路安全工作区较小以及CSL层浓度受限的问题；本发明将传统用于制作槽栅IGBT沟道的深槽与槽底部的P型埋层结合构成电场屏蔽结构，实现对载流子存储层电位的钳位；并且，一个IGBT元胞内设置有多个深槽；从而使得本发明IGBT的载流子存储层的浓度能够比传统IGBT高很多，能够具有更高的阴极注入效率，获得更优的导通压降和关断损耗的折中关系。同时，由于采用平面栅和电场屏蔽结构，本发明IGBT具有更低的栅驱动功耗和更低的饱和电流密度，从而提高了IGBT的安全工作区。