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公开/公告号CN107968051B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-02
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201711194490.3
发明设计人 周小红;杨俊铖;闵源;蒋阳波;万先进;
申请日2017-11-24
分类号H01L21/3105(20060101);B24B37/04(20120101);
代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人刘广达
地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 11:30:57
机译: 介电层,包括介电层的半导体存储器以及制造介电层和半导体存储器的方法
机译: 制造包括半导体存储器的电子器件,该半导体存储器包括层间介电层,该层间介电层具有在堆叠结构上的第一和第二氮化物层
机译: 具有介电层以隔离由生长形成的接触结构的相变存储器件,具有该相变存储器件的半导体存储器件及其制造方法和半导体器件
机译:用于了解由原子层沉积沉积的高k介电材料进行动态随机存取存储器电容器应用的最新进展
机译:一种隧道介电层自由浮栅非易失性存储器,采用I型核 - 壳量子点作为离散电荷捕获/隧道中心
机译:铁电介电混合缓冲层,用于增强有机铁电存储器晶体管的电气性能
机译:金属介电层对非易失性存储器件整体介电性能的影响
机译:非易失性存储器与易失性存储器的集成,用于嵌入式存储器体系结构和信号处理应用
机译:带有原子层沉积ZnO电荷陷阱层的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器的电压极性相关编程行为
机译:高性能有机薄膜晶体管和使用高介电层的非易失性存储器件
机译:在NUma(非统一存储器访问)多处理器上实现相干存储器抽象:使用pLaTINUm(用于调查非均匀存储器的平台)的经验。修订。