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介电层粗磨方法、存储器制作方法、存储器及电子设备

摘要

本发明提供一种多层层间介电层的粗磨方法、一种三维存储器的制作方法、一种三维存储器及一种电子设备。其中,所述多层层间介电层的粗磨方法,包括:提供已沉积多层层间介电层的目标晶圆;以研磨设备的马达扭矩为依据对所述目标晶圆进行粗磨,直至研磨至目标介电层。本发明提供的多层层间介电层的粗磨方法,相较于现有技术中以研磨时长为依据的粗磨方法,可以有效提高研磨的精准性,提高粗磨制程的可控性,降低后续细磨等步骤的工作量。

著录项

  • 公开/公告号CN107968051B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201711194490.3

  • 申请日2017-11-24

  • 分类号H01L21/3105(20060101);B24B37/04(20120101);

  • 代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘广达

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2022-08-23 11:30:57

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