一种高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法

摘要

本发明高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法，高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置包括生长坩埚；生长坩埚底部插有气管；生长坩埚顶部设置有生长坩埚盖；生长坩埚内部放置有碗状结构的原料坩埚；原料坩埚上部设置有挡板；原料坩埚底部设置有环状支撑的原料坩埚底脚；原料坩埚底脚的直径为原料坩埚直径的1/8；原料坩埚底脚上设置有均匀分布的8个～36个气孔。本发明的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置采用特殊材质的原料坩埚，避免碳化硅原料与石墨直接接触，使得碳化硅原料与生长坩埚隔离，避免生长坩埚及保温层中带N，B等杂质进入原料，避免了生长过程引入杂质，且原料坩埚和生长坩埚可以重复回收利用，大大降低了生产成本。