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公开/公告号CN108389874B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-15
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201810072073.X
发明设计人 王军;韩嘉悦;刘鹏;田夫兰;杨明;
申请日2018-01-25
分类号H01L27/28(20060101);H01L27/30(20060101);H01L51/42(20060101);
代理机构51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司;
代理人徐金琼;刘东
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:29:04
机译: 使用ZnO:Al作为n型发射极的高响应III-V光电探测器
机译: 使用ZnO:Al作为N型发射极的高响应III-V光电探测器
机译: 具有高响应度的快速P-I-N光电探测器
机译:高响应度谐振腔增强型InGaAs GaAs量子点光电探测器,室温下波长约为1μm
机译:具有场致嵌入式二极管的SOI光电探测器通过Backgate显示高响应度和可调响应谱
机译:模板的宽光谱光响应辅助平面成长ZnO / NiO复合纳米线光电探测器
机译:具有宽光谱范围的高响应MoS2-石墨烯异质结光电探测器
机译:硅纳米线光电晶体管:设计,制造和表征高响应度的宽带光电探测器。
机译:超宽光谱光电探测器:具有从375 nm到10 µm的超宽光谱响应的多机制协同光电探测器(Adv。Sci。15/2019)
机译:具有宽光谱响应和高开/关率的光热电SNTE光电探测器
机译:高激发功率下量子阱红外光电探测器的非线性光响应