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具有2层绝缘层的隧道型磁性检测元件及其制造方法

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摘要

本发明的目的在于，提供一种既能够适当保持与硬偏置层的绝缘性、又能够对自由磁性层供给适当大小的偏置磁场的磁性检测元件及其制造方法。将在层叠体(22)的侧端面(22a)上形成的第1绝缘层的厚度(T3)形成为比在下部屏蔽层(20)上形成的第2绝缘层(26)的膜厚(T4)薄。由此，就能够从硬偏置层(36)对自由磁性层(28)供给适当大小的偏置磁场。此外，还能够良好地保持上述硬偏置层(36)和上述层叠体(22)之间的绝缘性以及上述硬偏置层(36)和上述下部屏蔽层(20)之间的绝缘性。

著录项

  • 公开/公告号CN100423084C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK株式会社;

    申请/专利号CN200610091710.5

  • 发明设计人 佐藤清;

    申请日2006-06-08

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人胡建新

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-08-05

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:20081001 终止日期:20140608 申请日:20060608

    专利权的终止

  • 2008-10-01

    授权

    授权

  • 2008-02-27

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080125 申请日:20060608

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

  • 2007-02-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-20

    公开

    公开

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