居里温度为520K,带隙宽度为约0.2eV。本发明还提供了一种制备所述亚铁磁性半导体的方法,包括:(1)将La2O3、Fe2O3、CuO、Os和氧源研磨混合,得到混合物;(2)将混合物填充到金胶囊或铂胶囊中,密封;(3)将金胶囊或铂胶囊置于6~10GPa的压力以及1000~1200℃的温度下进行处理;和(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温,卸压,然后从金胶囊或铂胶囊中取出,研磨并清洗,从而得到亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12。本发明的亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12在未来的磁性半导体集成电路器件、红外‑远红外传感器件以及多功能集成器件中具有潜在应用价值。"/>
公开/公告号CN109166686B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院物理研究所;
申请/专利号CN201811307139.5
申请日2018-11-05
分类号H01F1/40(20060101);H01F41/00(20060101);
代理机构11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司;
代理人郭广迅
地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2022-08-23 11:26:08
机译: 在半导体器件中制备pmos-feleffekt晶体管,在半导体组件中的方法,pmos-场效应晶体管,多晶硅层,及其制备方法
机译: 地芬尼坦-单和-卡巴马蒂和polimetilen-polifenil-卡巴马蒂阵容的制备方法今天被一种酸(一种化合物(alcossicarbonil)fenilamino metilfenilico)取代
机译: 用于对抗植物寄生虫的0-(2,6-二氯-4-卤代芬尼洛)-fenilfosfonatos或tiofosfonatos一种制备方法和包含抑制剂的组合物