居里温度为520K,带隙宽度为约0.2eV。本发明还提供了一种制备所述亚铁磁性半导体的方法,包括:(1)将La2O3、Fe2O3、CuO、Os和氧源研磨混合,得到混合物;(2)将混合物填充到金胶囊或铂胶囊中,密封;(3)将金胶囊或铂胶囊置于6~10GPa的压力以及1000~1200℃的温度下进行处理;和(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温,卸压,然后从金胶囊或铂胶囊中取出,研磨并清洗,从而得到亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12。本发明的亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12在未来的磁性半导体集成电路器件、红外‑远红外传感器件以及多功能集成器件中具有潜在应用价值。"/> 一种亚铁磁性半导体LaCu<Sub>3</Sub>Fe<Sub>2</Sub>Os<Sub>2</Sub>O<Sub>12</Sub>及其制备方法(CN201811307139.5)-中国专利【掌桥科研】
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一种亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12及其制备方法

摘要

本发明提供了一种亚铁磁性半导体,其化学式为LaCu3Fe2Os2O12,空间群为Pn‑3,晶格常数为居里温度为520K,带隙宽度为约0.2eV。本发明还提供了一种制备所述亚铁磁性半导体的方法,包括:(1)将La2O3、Fe2O3、CuO、Os和氧源研磨混合,得到混合物;(2)将混合物填充到金胶囊或铂胶囊中,密封;(3)将金胶囊或铂胶囊置于6~10GPa的压力以及1000~1200℃的温度下进行处理;和(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温,卸压,然后从金胶囊或铂胶囊中取出,研磨并清洗,从而得到亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12。本发明的亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12在未来的磁性半导体集成电路器件、红外‑远红外传感器件以及多功能集成器件中具有潜在应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN109166686B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN201811307139.5

  • 发明设计人 龙有文;王潇;

    申请日2018-11-05

  • 分类号H01F1/40(20060101);H01F41/00(20060101);

  • 代理机构11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭广迅

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2022-08-23 11:26:08

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