在三维存储器件中的自对准触点和用于形成该自对准触点的方法

摘要

公开了3D存储器件的实施例和用于形成所述3D存储器件的方法。在例子中，3D存储器件包括：衬底、包括在衬底之上交织的导电层和电介质层的存储堆叠层、垂直地延伸穿过存储堆叠层的结构、在存储堆叠层上的第一电介质层、在第一电介质层上的刻蚀停止层、在刻蚀停止层上的第二电介质层、穿过刻蚀停止层和第一电介质层并且与该结构的上端接触的第一触点、以及穿过第二电介质层并且至少与第一触点的上端接触的第二触点。