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公开/公告号CN108801990B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 华南师范大学;
申请/专利号CN201810358931.7
发明设计人 梁勇;郭慢丽;
申请日2018-04-19
分类号G01N21/64(20060101);
代理机构44100 广州新诺专利商标事务所有限公司;
代理人林玉芳
地址 528437 广东省广州市大学城华南师范大学化学与环境学院
入库时间 2022-08-23 11:19:22
机译: 钙钛矿模或Bi分层钙钛矿模氧化物薄膜形成的原料溶液,钙钛矿模或钙钛矿模或Bi复层钙钛矿模氧化物薄膜的形成方法,Bi分层钙钛矿模氧化物不存在
机译: 钙钛矿型或双片钙钛矿型氧化物薄膜形成的源解,钙钛矿型或双片钙钛矿型氧化物薄膜的形成方法,钙钛矿型或双片钙钛矿型氧化物薄膜的成膜方法
机译: 钙钛矿型氧化物诱发钙钛矿型氧化物,钙钛矿型氧化物相转变的方法,钙钛矿型氧化物用作电子功能元件材料
机译:分子印迹中孔二氧化硅嵌入钙钛矿CSPBBR_3量子点,用于荧光检测2,2-二氯乙烯基二甲基磷酸酯
机译:基于全无机钙钛矿量子点的新型荧光传感器涂有分子印迹聚合物,用于高度选择性和敏感的Omethoate检测
机译:基于APTES官能化的CSPBBR(3)钙钛矿量子点的高效稳定的荧光传感器,用于在乙醇中进行超细四环素检测
机译:基于全无机钙钛矿CsPbBr_3量子点的电阻开关存储器件
机译:基于分子印迹仿生聚合物的荧光传感器的开发
机译:CsPbBr3钙钛矿的多光子激发量子点(PQD):一个PQD可以将多个电子捐赠给多个分子受体?
机译:基于溶液的钙钛矿型氧化物薄膜和粉末的温度