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公开/公告号CN104049464B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 JSR株式会社;
申请/专利号CN201410087908.0
发明设计人 一戸大吾;滨田谦一;
申请日2014-03-11
分类号G03F7/075(20060101);H01L21/312(20060101);H01L51/50(20060101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人臧建明
地址 日本东京港区东新桥一丁目9番2号
入库时间 2022-08-23 11:19:02
机译: 栅极绝缘膜,放射线敏感性树脂组合物,固化膜,形成栅极绝缘膜的方法,半导体元件和显示装置
机译: 栅极绝缘膜,组合物,固化膜,半导体元件,半导体元件的制造方法以及显示装置
机译: 栅极绝缘膜,辐射敏感树脂组合物,固化膜,形成栅极绝缘膜的方法,半导体元件和显示装置
机译:一种光敏树脂组合物和具有高机械性能,储存稳定性,高机械性能,储存稳定性和具有铜基材的高分辨率的光敏树脂组合物,并且用于短固化时间提供干膜,固化产品,印刷线板具有固化的产品和半导体元件。
机译:显示装置用外部遮光膜的专利,其制造方法及装置用滤波器,制造方法及具有该装置的显示装置用滤波器
机译:使用GaAs氧氮化物膜作为栅极绝缘膜试验制造N沟道增强/倒置的GaAs-MISFET
机译:一种高度pH敏感的电解质绝缘体半导体元件,使用一堆阳极Gd氧化物/氧化硅
机译:用于燃料电池和换能器应用的质子交换膜的高性能二磺化聚(亚芳基砜)共聚物和三元共聚物:离子传导膜的合成,表征和制造。
机译:用于高性能银纳米线/蒙膜杂交透明导电膜的可扩展溶液加工制造方法
机译:使用氧化物氮化物氧化物膜作为栅极绝缘体的多Si TFT的性质
机译:用于辐射硬化电路的铬硅膜电阻器的制造方法