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栅极绝缘膜、感放射线性组合物、硬化膜、半导体元件、半导体元件的制造方法及显示装置

摘要

本发明提供一种介电特性得到控制的栅极绝缘膜、所述栅极绝缘膜形成用的感放射线性组合物、硬化膜与半导体元件及半导体元件的制造方法、以及具有所述半导体元件的显示装置。作为半导体元件的TFT3具有半导体层6、栅极电极4及栅极绝缘膜5。栅极绝缘膜5包含硬化膜,所述硬化膜是使用含有以下成分的组合物而形成:[A]水解缩合物,[B]作为含有选自由铝、锆、钛、锌、铟、锡、锑、钡及铈所组成的组群中的至少一种金属的氧化物的金属氧化物粒子,以及[C]感放射线性酸产生剂或感放射线性碱产生剂。将TFT3作为开关元件而用于构成显示装置。

著录项

  • 公开/公告号CN104049464B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JSR株式会社;

    申请/专利号CN201410087908.0

  • 发明设计人 一戸大吾;滨田谦一;

    申请日2014-03-11

  • 分类号G03F7/075(20060101);H01L21/312(20060101);H01L51/50(20060101);

  • 代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;

  • 代理人臧建明

  • 地址 日本东京港区东新桥一丁目9番2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:19:02

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