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二氧化锡基气敏材料及硫化氢气体传感器芯片的制备方法、硫化氢气体传感器

摘要

本发明提供了二氧化锡基气敏材料的制备方法。包括如下步骤:向锡的盐溶液中加入弱酸,将溶液pH值调节至1‑2,并在第一预设温度下搅拌均匀;以预设速率加入弱碱,直至将溶液的pH值调节至2‑3,继续搅拌直至呈凝胶状态;取出凝胶,将凝胶加热至第二预设温度,再加入弱酸以调节pH值至1.5‑2;加入聚乙二醇后进行干燥并烧结,以获得二氧化锡粉体;向二氧化锡粉体中加入金属盐和可挥发醇类溶剂,并研磨以获取浆料,烧结一预设时间,获得金属掺杂二氧化锡基气敏材料。本发明还提供了一种硫化氢气体传感器芯片的制备方法和硫化氢气体传感器。本发明通过改变气敏材料的制备工艺,解决了SnO2基材料在常温下对H2S气体几乎没有响应的技术问题。

著录项

  • 公开/公告号CN108318542B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州慧闻纳米科技有限公司;

    申请/专利号CN201711241373.8

  • 申请日2017-11-30

  • 分类号G01N27/12(20060101);

  • 代理机构11391 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人薛峰;康正德

  • 地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区9幢505室

  • 入库时间 2022-08-23 11:18:33

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