一种PS-b-P2VP模板的硅表面纳米级高分子刷图案的制备方法

摘要

本发明提供了一种PS‑b‑P₂VP模板的硅表面纳米级高分子刷图案的制备方法，其采用简单易行的化学方法，能够在硅表面大批量大面积的制作≤100nm的密集排列的指纹状、线状纳米结构，成本低、易操作，其克服了现有物理纳米刻蚀技术需要昂贵机器、成本高、操作繁琐、劳动密集，只能生产几毫米的小面积的问题和缺点，并且利用PS‑b‑P₂VP分子量、组份和环境条件的改变，可以在10‑100nm之间实现精确调节。