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一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统

摘要

本发明公开了一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统,所述方法包括如下步骤:步骤S1,引入用户可定义的阈值电压参数VTCC;步骤S2,定义阈值电压判断参数VTCCPR,将输入的阈值电压VTCC与阈值电压判断参数VTCCPR进行比较;步骤S3,根据比较结果判断出所需的存储单元状态,从而选取与该状态相应的模型参数值,本发明能够将存储单元的编程和擦除两种状态模型合二为一,简化原有的存储单元模型,使存储单元模型中编程与擦除两种状态的开启和转换更灵活简单。

著录项

  • 公开/公告号CN108847268B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201810604592.6

  • 发明设计人 刘素吉;王伟;彭兴伟;

    申请日2018-06-13

  • 分类号G11C16/34(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人智云

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 11:17:15

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