公开/公告号CN108847268B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201810604592.6
申请日2018-06-13
分类号G11C16/34(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人智云
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 11:17:15
机译: 非易失性存储单元电子EPROM,一种集成电路的模拟参数控制方法,涉及在系统的大小达到阈值时确定系统的固有模拟参数的值
机译: 非易失性存储设备闪存设备,一种编程方法,包括基于对存储单元的阈值电压分布的评估来确定数据是否被正确地编程到一组存储单元中
机译: 非易失性存储单元,阈值调整方法的调整方法以及非易失性存储单元的阈值的多个晶体管