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用于探测包括半导体构件的功率电子设备的老化的方法和设备以及功率电子系统

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用于探测包括至少一个半导体构件(104)的功率电子设备(102)的老化的方法包括：激励信号(110)的提供步骤，激励信号被构造成用于为了将损耗功率引入半导体构件(104)中而使至少近似半正弦状的激励电流(112)穿流过半导体构件(104)；温度信号(114)的读入步骤，温度信号反映出半导体构件(104)的温度在时间上的变化曲线；以及在使用温度信号(114)的情况下对代表功率电子设备(102)的老化的老化值(118)的确定步骤。

著录项

公开/公告号CN108450018B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16

原文格式PDF
申请/专利权人 ZF 腓德烈斯哈芬股份公司;
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申请/专利号CN201680074213.6
发明设计人马尔科·登克;马克-马蒂亚斯·巴克兰;
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申请日2016-11-22
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人杨靖;车文
地址德国腓德烈斯哈芬
入库时间 2022-08-23 11:16:59

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