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公开/公告号CN110098824B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第二十四研究所;
申请/专利号CN201910382143.6
发明设计人 李婷;黄正波;张勇;倪亚波;王健安;陈光炳;付东兵;
申请日2019-05-09
分类号H03K5/24(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人尹丽云
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2022-08-23 11:16:30
机译: 用于基于衬底的电子设备的衬底和具有改进的可靠性的电子设备
机译: 石墨薄膜/硅衬底层叠组件,制造方法,以及用于增强型散热型电子设备的基板
机译: 来自增强型比较器检测电路的比较器亚稳态性能
机译:基于衬底电压的CMOS比较器的磁滞稳定技术
机译:基于Au-Ag合金涂层,大面积光子(甲基丙烯酸甲酯+苯乙烯)共聚物的血浆增强型SER衬底的合成与表征
机译:基于F掺杂氧化锡衬底上的超薄聚噻吩层敏锐钛矿TiO_2的增强型L-半胱氨酸的光电化学检测
机译:基于电压比较器的混合信号集成电路中等效采样衬底噪声波形的测量
机译:具有全差分开关电容比较器的效率增强型DCM开关降压转换器
机译:理论预测的高导热立方晶Si3N4和Ge3N4:大功率电子设备的有前途的衬底材料
机译:生长压力对平面蓝宝石衬底上石墨烯直接生长的影响:基于石墨烯的电子设备的影响
机译:基于光刻全息术的完全集成,多端口,平面波导,光谱比较器和多路复用器