一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法

摘要

本发明属于锰铋合金薄膜制备技术领域，具体涉及一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法。该制备方法是用高纯度工作气体同时轰击高纯度锰靶和铋靶，在基片上共沉积锰铋，将磁控溅射镀膜后的基片进行退火处理，得到具有室温交换偏置效应的锰铋合金薄膜。通过对磁控溅射镀膜和退火条件的选择，锰铋合金薄膜在室温下的交换偏置场最高可达1032Oe。