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具有可见光响应的多孔薄膜半导体光电极及光电化学反应装置及制备

摘要

具有可見光响应的多孔薄膜半导体光电极,这种进行能量蓄积型反应的光电化学电池所用的是薄膜半导体光电极,由成多孔结构的复合金属氧化物半导体形成;该多孔薄膜半导体光电极由2类以上的元素构成,至少有一种元素A为铋,银,铜,锡,铅,钒,铟,镨,铬以及镍中的一种;另一类元素B从钛、铌,钽,锆,铪,钼,钨,锌,镓,铟,锗以及锡中选出。所述半导体内部生成的空穴50%以上向半导体电极表面的扩散距离在500nm以内,半导体的厚度在50微米以下。

著录项

  • 公开/公告号CN100395895C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京大学;

    申请/专利号CN200310106207.9

  • 发明设计人 邹志刚;陈延峰;叶金花;

    申请日2003-11-05

  • 分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/04(20060101);H01M4/86(20060101);H01M8/00(20060101);H01M14/00(20060101);

  • 代理机构32207 南京知识律师事务所;

  • 代理人陈建和

  • 地址 210093 江苏省南京市汉口路22号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-01-06

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2008-06-18

    授权

    授权

  • 2005-01-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-03

    公开

    公开

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