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公开/公告号CN100405202C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 日本电信电话株式会社;
申请/专利号CN200480002231.0
发明设计人 水野隆之;高桥浩;鬼头勤;小熊学;相马俊一;
申请日2004-07-02
分类号G02F1/313(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人李香兰
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 09:00:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-07-23
授权
2006-04-19
实质审查的生效
2006-02-22
公开
机译: 干涉式光开关和可变光衰减器
机译: 干涉仪光开关和可变光衰减器
机译:4 4级联的Mach–Zehnder干涉仪型光开关的InAlGaAs / InAlAs光开关结构,具有低功率和低极化特性
机译:InAlGaAs / InAlAs Mach-Zehnder干涉仪型高速光开关级联连接实现了4×4光开关的低功耗和低偏振相关操作
机译:InAIGaAs / InAIAs Mach-Zehnder干涉仪型高速光开关级联连接实现4x4光开关低功耗和低偏振相关操作
机译:级联Mach-Zehnder干涉仪型光开关的4×4 InAlGaAs / InAlAs光开关结构,具有低功耗和低偏振相关的操作
机译:螺并苯并吡喃修饰的膜的光致膜电位及其在光开关离子传感器中的应用研究(螺并苯并吡喃固定化膜的光致膜电位及其在光开关离子传感器中的应用研究)
机译:基于远程表面等离激元-极化波导的柔性热光可变衰减器
机译:热隔离槽对Mach-Zehnder干涉仪型热视光变性光衰减器的影响
机译:硅基干涉滤波器的热光开关