结势垒肖特基整流器

摘要

在本发明的结势垒肖特基整流器中，漂移层包括第一漂移层区段和第二漂移层区段，其中第一漂移层区段的峰值净掺杂浓度为第二漂移层区段的最小净掺杂浓度的至多1/2。对于各个发射极区域，第一漂移层区段包括层区段，其接触相应的发射极区域，以在第一漂移层区段和相应的发射极区域之间形成pn结，其中这个层区段在垂直于第一漂移层区段和相应的发射极区域之间的界面的方向上的厚度为至少0.1µm。本发明的JBS整流器在较低正向偏压下具有从单极到双极传导模式的过渡，因为静电力降低，这在正向偏压状况下本来会损害电子朝向发射极区域的运送。同时两个区段漂移层可最大程度地减小在普通JBS整流器中出现的骤回崩溃现象。