晶硅异质结太阳能电池的发射极结构及其制备方法

摘要

本发明涉及的一种晶硅异质结太阳能电池的发射极结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有非晶硅本征层，非晶硅本征层的外侧均设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag电极，所述N型晶体硅片的其中一面的非晶硅本征层和TCO导电膜之间设有非晶硅掺杂层N层，另一面的非晶硅本征层和TCO导电膜之间设有TMB掺杂层、B2H6掺杂层。本发明采用TMB气体进行掺杂，防止了掺杂原子B向非晶硅本征层扩散，提升开路电压；TMB气体禁带宽度大，光能够更有效地通过该掺杂层，升短路电流；接近TCO一侧采用B2H6气体进行掺杂，掺杂层的导电性能更好；提升HJT太阳能电池的光电转换效率。