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具有侧面反射层的发光二极管

摘要

本发明提供一种具有侧面反射层的发光二极管。根据一个实施例的发光二极管包括:基板,具有侧面;半导体叠层,布置于基板下部,且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及夹设于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层;欧姆反射层,电连接于第二导电型半导体层;第一凸起焊盘及第二凸起焊盘,布置于欧姆反射层下部,分别电连接于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层;侧面反射层,覆盖基板的侧面;覆盖层,覆盖基板的上表面及侧面反射层。

著录项

  • 公开/公告号CN108461595B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 首尔伟傲世有限公司;

    申请/专利号CN201711275494.4

  • 发明设计人 张锺敏;金彰渊;林栽熙;

    申请日2017-12-06

  • 分类号H01L33/10(20100101);H01L33/44(20100101);

  • 代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人孙昌浩;李盛泉

  • 地址 韩国京畿道安山市

  • 入库时间 2022-08-23 10:59:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-29

    授权

    授权

  • 2018-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/10 申请日:20171206

    实质审查的生效

  • 2018-08-28

    公开

    公开

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