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聚合物太阳能电池的深亚微米三维异质结界面及制备方法

摘要

本发明公开了一种聚合物太阳能电池(PSC)的深亚微米三维异质结界面的结构及其制作工艺步骤。该太阳能电池的特征为:其中p型施主聚合物半导体薄膜和n型受主聚合物半导体薄膜接触面的截面互为梯形镶嵌,构成深亚微米三维形状的异质结界面。本发明公开的异质结界面组合尺寸可整体上大大提高PSC的光电转换效率。深亚微米三维形状的异质结界面制作工艺的特征在于:p型聚合物材料为热塑型聚合物半导体;其上面的深亚微米三维结构采用金属镍模具加热加压成形,即热塑性成形;所述液态的n型聚合物涂敷后置入真空环境,使之填入p型聚合物上的深亚微米三维结构后,再在室温或加热固化。该制作工艺具备低成本、高效率、大面积制备的优势。

著录项

  • 公开/公告号CN100365828C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN200510042776.0

  • 发明设计人 丁玉成;刘红忠;卢秉恒;段玉岗;

    申请日2005-06-09

  • 分类号H01L31/072(20060101);H01L31/18(20060101);H01L51/00(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人李郑建

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-08-08

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/072 授权公告日:20080130 终止日期:20110609 申请日:20050609

    专利权的终止

  • 2008-01-30

    授权

    授权

  • 2006-03-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-01-11

    公开

    公开

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