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光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法

摘要

一种光电子半导体本体(100)包括:带有第一导电类型的第一层(10)、第二导电类型的第二层(12)和布置在第一层(10)和第二层(12)之间的有源层(11)的半导体层序列(1),其中该有源层在按规定的运行中发射或吸收电磁辐射。在半导体本体(100)中存在多个在横向方向上并排布置的注入区域(2),其中在每个注入区域(2)内部半导体层序列(1)被掺杂为,使得在整个注入区域(2)内,半导体层序列(1)具有与第一层(10)相同的导电类型。在此,每个注入区域(2)从第一层(10)出发至少部分穿过有源层(11)。此外,每个注入区域(2)横向地被有源层(11)的连续的轨道包围,在所述连续的轨道中,有源层(11)比在注入区域(2)中要掺杂得少或者相反地被掺杂。在半导体本体(100)运行中,载流子至少部分地从第一层(10)到达注入区域(2)中并且从那里出来直接注入到有源层(11)中。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-12

    授权

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  • 2017-12-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/14 申请日:20160324

    实质审查的生效

  • 2017-12-01

    公开

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