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一种基于IGBT器件瞬态物理过程的分段折线建模方法

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摘要

本发明公开了一种电力半导体器件IGBT在硬开关工作模式下瞬态物理过程的分段折线建模方法，其特征在于基于典型IGBT内部结构及其瞬态物理过程，在一定的简化假设条件下，用分段函数描述IGBT开通和关断过程中的集射极电压v

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1. 一种基于IGBT器件瞬态物理过程的分段折线建模方法 [P] . 中国专利： CN106991221B . 2020.04.24
2. 一种基于IGBT器件瞬态物理过程的分段折线模型 [P] . 中国专利： CN106991221A . 2017-07-28
3. IGBT A Method for estimation of remaining useful life of IGBT based on Auxiliary Particle Filtering [P] . 韩国专利： KR20200079765A . 2020-07-06

机译： IGBT一种基于辅助粒子滤波的IGBT剩余使用寿命的估算方法
4. A process for the formation of a break line to be opened easily on a container lid and is provided with such a break line container cover [P] . 德国专利： DE2637420A1 . 1977-03-10

机译：一种形成折线的方法，该折线容易在容器盖上打开，并设有这种折线容器盖
5. METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE, A METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE, A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND A NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM CAPABLE OF IMPROVING THE ETCHING RATE OF HYDROGEN FLUORIDE LIQUID [P] . 韩国专利： KR20130038137A . 2013-04-17

机译：制造半导体器件的方法，一种处理基质的方法，一种基质处理设备以及一种非瞬态计算机可读记录介质，该介质可提高氢氟酸液体的刻蚀速率