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用于减弱高频信号对离子源的影响方法

摘要

本发明公开了一种用于减弱高频信号对离子源的影响方法,包括内部离子源及其支撑件、中心区圆筒及高频腔体,其在中心区圆筒的尾部内壁与内部离子源支撑件的头部之间设有第一信号转移结构,且在内部离子源的顶部与高频腔体的底面之间设有第二信号转移结构;其中,第一信号转移结构分别抵接中心区圆筒的尾部内壁与内部离子源支撑件的头部,其用于将中心区圆筒上的高频信号转移至离子源支撑件,第二信号转移结构分别抵接内部离子源的顶部与高频腔体的底面,其用于将高频腔体的高频信号转移至内部离子源。本发明可以将回旋加速器中的高频信号转移至地电位,从而减少信号干扰的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN109089373B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国原子能科学研究院;

    申请/专利号CN201810772448.3

  • 申请日2018-07-13

  • 分类号

  • 代理机构北京维正专利代理有限公司;

  • 代理人曹晓斐

  • 地址 102413 北京市房山区新镇北坊

  • 入库时间 2022-08-23 10:53:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-24

    授权

    授权

  • 2019-01-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H7/08 申请日:20180713

    实质审查的生效

  • 2019-01-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 7/08 申请日:20180713

    实质审查的生效

  • 2018-12-25

    公开

    公开

  • 2018-12-25

    公开

    公开

  • 2018-12-25

    公开

    公开

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