具有AlSiN钝化层的异质结构功率晶体管

摘要

一种异质结构半导体器件，包含第一活性层和布置在该第一活性层上的第二活性层。二维电子气层被形成在该第一活性层与该第二活性层之间。AlSiN钝化层被布置在该第二活性层上。第一欧姆接触点和第二欧姆接触点电学连接到该第二活性层。该第一欧姆接触点和该第二欧姆接触点横向间隔开，栅极被布置在该第一欧姆接触点与该第二欧姆接触点之间。