一种埋栅型电感应晶体管(SIT)的制造方法

摘要

本发明对静电感应晶体管(SIT)提出一种新的制造方法和工艺控制方法。这种方法使SIT的结构形成半埋栅的结构，在光刻源区时，将大面积的源区套刻在除栅墙外的源条和栅区上，以便进行大面积的源扩散。栅接触孔区直接在栅墙上光刻而成。这种方法解决了以前几种静电感应晶体管制造工艺难度大，成品率低的不足。本发明提供的方法，利用一般的晶体管生产设备和手段即可进行大量生产，使成品率提高，成本降低满足市场需要。