首页> 中国专利> 有机半导体膜及其制造方法、薄膜晶体管、有源矩阵装置、电光学装置及电子设备

有机半导体膜及其制造方法、薄膜晶体管、有源矩阵装置、电光学装置及电子设备

摘要

本发明的有机半导体膜的制造方法的特征在于,具有以下工序:液状组合物施与工序,在基材上以规定的图案施与液状组合物,所述液状组合物是使有机半导体材料溶解或分散在第1溶剂中而成的;第2溶剂施与工序,在所述基材的被施与了所述液状组合物的区域施与第2溶剂,所述第2溶剂对所述有机半导体材料的溶解性比所述第1溶剂低;第2溶剂除去工序,将所述第2溶剂除去。

著录项

  • 公开/公告号CN104882539B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 伊英克公司;

    申请/专利号CN201510088686.9

  • 发明设计人 守谷壮一;

    申请日2015-02-26

  • 分类号

  • 代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭广迅

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 10:44:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-29

    授权

    授权

  • 2018-10-26

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 51/00 登记生效日:20181009 变更前: 变更后: 申请日:20150226

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-10-26

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 51/00 登记生效日:20181009 变更前: 变更后: 申请日:20150226

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/00 申请日:20150226

    实质审查的生效

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/00 申请日:20150226

    实质审查的生效

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/00 申请日:20150226

    实质审查的生效

  • 2015-09-02

    公开

    公开

  • 2015-09-02

    公开

    公开

  • 2015-09-02

    公开

    公开

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