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具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模

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摘要

本发明也提供了光刻掩模。光刻掩模包括含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。在一些实施例中，ITO材料具有SnO

1. 具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模 [P] . 中国专利： CN106154735B . 2019.11.22
2. 具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模 [P] . 中国专利： CN106154735A . 2016-11-23
3. EUV mask with ITO absorber to suppress out of band radiation [P] . 美国专利： US9529250B2 . 2016-12-27

机译：带有ITO吸收剂的EUV掩模可抑制带外辐射
4. EUV MASK WITH ITO ABSORBER TO SUPPRESS OUT OF BAND RADIATION [P] . 韩国专利： KR101837801B1 . 2018-03-12

机译：具有ITO吸收层的EUV遮罩可抑制带外辐射
5. EUV MASK WITH ITO ABSORBER TO SUPPRESS OUT OF BAND RADIATION [P] . 韩国专利： KR20160051503A . 2016-05-11

机译：具有ITO吸收层的EUV遮罩可抑制带外辐射