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制备具有高度取向的非铅系钙钛矿结构铁电薄膜的方法

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摘要

本发明属于电子材料和器件技术领域，具体为一种制备具有高度取向结构的非铅系钙钛矿结构铁电薄膜的方法。本发明采用溶胶-凝胶方法，并严格控制反应前驱体溶液的浓度为0.01M-0.1M之间，衬底采用LaNiO₃/Pt/Ti/SiO₂/Si。所制备的锆钛酸钡(BZT)系、钛酸锶钡(BST)系和钛锡酸钡(BTS)系铁电薄膜具有高度的(100)取向。

著录项

公开/公告号CN100348541C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-11-14

原文格式PDF
申请/专利权人同济大学;
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申请/专利号CN200310108128.1
发明设计人翟继卫;姚熹;
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申请日2003-10-23
分类号C04B35/465(20060101);C04B35/49(20060101);C04B35/47(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞;滕怀流
地址 200433 上海市四平路1239号
入库时间 2022-08-23 09:00:02

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-12-28

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/465 授权公告日:20071114 终止日期:20101023 申请日:20031023

专利权的终止
2007-11-14

授权

授权
2006-12-06

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-10-20

公开

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