首页> 中国专利> 一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路

一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路

摘要

本发明公开了一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路。本发明公开的静电放电ESD保护电路包括:主ESD保护电路、电阻和从ESD保护电路;其中,主ESD保护电路中至少包括一个高压N沟道MOS管,该高压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地,该高压N沟道MOS管的漏极连接集成电路芯片的引脚焊盘PAD;从ESD保护电路中至少包括一个低压N沟道MOS晶体管,该低压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地,该低压N沟道MOS管的漏极通过所述电阻连接到高压N沟道MOS管的漏极,并连接到集成电路芯片内部被保护的电路。本发明能够实现一种漏电电流较小的ESD保护电路,降低系统功耗,更好地满足低功耗系统的应用要求。

著录项

  • 公开/公告号CN107204326B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电信科学技术研究院;

    申请/专利号CN201610154495.2

  • 发明设计人 安建宏;

    申请日2016-03-17

  • 分类号

  • 代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘醒晗

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路40号

  • 入库时间 2022-08-23 10:37:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-06

    授权

    授权

  • 2017-10-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/60 申请日:20160317

    实质审查的生效

  • 2017-10-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/60 申请日:20160317

    实质审查的生效

  • 2017-09-26

    公开

    公开

  • 2017-09-26

    公开

    公开

  • 2017-09-26

    公开

    公开

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