公开/公告号CN107204326B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 电信科学技术研究院;
申请/专利号CN201610154495.2
发明设计人 安建宏;
申请日2016-03-17
分类号
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司;
代理人刘醒晗
地址 100191 北京市海淀区学院路40号
入库时间 2022-08-23 10:37:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-06
授权
授权
2017-10-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/60 申请日:20160317
实质审查的生效
2017-10-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/60 申请日:20160317
实质审查的生效
2017-09-26
公开
公开
2017-09-26
公开
公开
2017-09-26
公开
公开
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机译: 利用平面图设计保护集成电路免受ESD事件的静电放电(ESD)保护结构以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译: 静电放电(ESD)保护结构,利用地板计划设计来保护集成电路不受ESD事件影响,以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译: 自保护静电放电场效应晶体管(SPESDFET),将SPESDFET用作输入/输出(I / O)焊盘驱动器的集成电路以及形成SPESDFET和集成电路的相关方法