一种(001)晶面暴露的纳米硅酸盐材料及制备方法

摘要

本发明提供了一种(001)晶面暴露的纳米硅酸盐材料，材料粉体粒径为纳米级，正交晶系，在高分辨透射电子显微镜下显示有带轴斑点。其制备方法是将锂盐与硅源加入至有机介质溶剂1，得到溶液1；将金属M的盐加入到有机介质溶剂2，M为Fe、Mn或Co中的一种，得到溶液2；将溶液2滴加到溶液1中再将混合溶液于2‑10Mpa压力，150～250℃温度下反应6‑120小时，经后处理得到(001)晶面暴露的硅酸盐材料。本发明的材料由于(001)晶面暴露，材料中锂离子实现了快速迁移，使得本发明的材料在用于锂离子电池正极材料时，其电化学性能优良。另外本发明该方法可重复性高，制备工艺简单。