法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-16
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 51/05 变更前: 变更后: 申请日:20161103
著录事项变更
2019-07-09
授权
授权
2019-07-09
授权
授权
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20161103
实质审查的生效
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20161103
实质审查的生效
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20161103
实质审查的生效
2017-05-17
公开
公开
2017-05-17
公开
公开
2017-05-17
公开
公开
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机译: 一种半导体非易失性存储器件,其浮栅型参考单元在控制栅电极和浮栅电极之间短路
机译: 一种用埋入式浮栅形成浮栅存储器单元的半导体存储器阵列的自对准方法,并由此形成了一种存储器阵列
机译: 一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅