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NAND闪存上基于索引调制的交叉编写方法

摘要

本发明公开了一种NAND闪存上基于索引调制的交叉编写方法,其步骤为:(1)对NAND闪存单元进行擦除操作;(2)将待写入的数据通过NAND闪存上基于索引调制的交叉编写方法写入已擦除的NAND闪存单元;(3)读取NAND闪存单元中存储的数据。本发明具有抗单元间干扰能力强、平均误码性能好、可以实现不等错误保护等优点,用于解决现有NAND闪存编写方法中存在的误码性能差、不能实现不等错误保护的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN106486168B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201610812091.8

  • 发明设计人 郑贱平;姚鑫鹏;吴亦寒;

    申请日2016-09-08

  • 分类号

  • 代理机构陕西电子工业专利中心;

  • 代理人田文英

  • 地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 10:33:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-24

    授权

    授权

  • 2017-04-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/10 申请日:20160908

    实质审查的生效

  • 2017-04-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/10 申请日:20160908

    实质审查的生效

  • 2017-03-08

    公开

    公开

  • 2017-03-08

    公开

    公开

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