利用再生长氮化镓层制造混合的PN结与肖特基二极管的方法

摘要

一种用于以氮化镓(GaN)基材料制造混合p‑i‑n肖特基(MPS)二极管的方法包括提供具有第一表面和第二表面的n型GaN基衬底。该方法还包括形成耦接至n型GaN基衬底的第一表面的n型GaN基外延层和形成耦接至n型GaN基外延层的p型GaN基外延层。该方法还包括去除部分p型GaN基外延层以形成多个掺杂剂源和再生长GaN基外延层，该再生长的GaN基外延层包括在与部分所述n型GaN基外延层交叠的区域中的n型材料和在与多个掺杂剂源交叠的区域中的p型材料。该方法还包括形成电耦接至再生长的GaN基外延层的第一金属结构。