一种正极性高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法

摘要

一种正极性高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法，属于LED生产应用技术领域，在永久基板一侧依次设置金属键合层、n‑GaAs欧姆接触层、n‑AlGaInP限制层、MQW有源层、p‑AlGaInP限制层和p‑GaP电流扩展层，在p‑GaP电流扩展层上分别设置P电极和透明导电层，p‑GaP电流扩展层朝向透明导电层的表面均布半球形粗化层。本发明发光层与P电极形成良好的导电层，形成一种渐变式折射率材料的组合层，可以进一步地增加元件出光效率，提高LED的光效。