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摩擦电子学场效应晶体管及应用其的逻辑器件和逻辑电路

摘要

本发明提供了一种摩擦电子学场效应晶体管及应用其的逻辑器件和逻辑电路。该摩擦电子学场效应晶体管包括:晶体管基体,其包括:导电基底及依次形成于该导电基底上的绝缘层以及沟道层;漏极和源极,形成于沟道层的两侧;浮栅电极,形成于导电基底与绝缘层相对的另一面上,与导电基底欧姆接触;以及移动摩擦层,与浮栅电极相对设置。本发明中,移动摩擦层可在外力作用下与浮栅电极接触摩擦起电,在浮栅电极上产生摩擦电荷,实现两者之间的“动态交互”,替代传统场效应晶体管中的外部栅极电压,实现调控电子器件中载流子输运特性的目的,实现机械‑电子的耦合。

著录项

  • 公开/公告号CN106033779B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京纳米能源与系统研究所;

    申请/专利号CN201510106205.2

  • 申请日2015-03-11

  • 分类号H01L29/84(20060101);H03K19/21(20060101);H03K19/20(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人曹玲柱

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号天工大厦C座

  • 入库时间 2022-08-23 10:32:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-07

    授权

    授权

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/84 申请日:20150311

    实质审查的生效

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/84 申请日:20150311

    实质审查的生效

  • 2016-10-19

    公开

    公开

  • 2016-10-19

    公开

    公开

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