室温p型磁性半导体p-n-p双重结器件和电控磁器件

摘要

本发明公开了微纳电子和自旋电子学材料的半导体器件制备技术领域的一种室温p型磁性半导体p‑n‑p双重结器件和电控磁器件。所述p‑n‑p双重结器件是一种基于室温p型磁性半导体和n型Si的p‑n结和p‑n‑p双重结器件，在n型Si上下表面镀有室温p型磁性半导体薄膜，形成了Au/p‑CFTBO/n‑Si/p‑CFTBO/Au结构的p‑n‑p双重结器件，具有明显的整流效应；所述电控磁器件是在单晶硅表面依次镀上一层Cr膜、Au膜、一层p型磁性半导体薄膜和HfO