首页> 中国专利> 一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法

一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种掺杂磁性半导体梯度材料制备方法。其主要步骤为:1)将氧化物半导体粉末和磁性氧化物粉末按照磁性氧化物粉末摩尔百分数为0%~25%混合起来进行烧结,得到不同磁性元素含量的靶材;2)将不同磁性元素含量的靶材置于多靶脉冲激光沉积系统中,并放置基片,腔体真空度抽到高于5×10

著录项

  • 公开/公告号CN105575771B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201510931283.6

  • 发明设计人 吴琛;白国华;严密;

    申请日2015-12-15

  • 分类号

  • 代理机构杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人郑海峰

  • 地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

  • 入库时间 2022-08-23 10:28:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-29

    授权

    授权

  • 2016-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20151215

    实质审查的生效

  • 2016-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20151215

    实质审查的生效

  • 2016-05-11

    公开

    公开

  • 2016-05-11

    公开

    公开

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