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钨化学机械抛光中的凹陷减少

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摘要

本发明涉及可以用于含钨半导体器件的化学机械平面化(CMP)的浆料、方法和系统。添加剂被用于减少大和小的特征尺寸(大的接合焊盘以及精细的线结构)的凹陷而不降低钨去除速率。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-19

授权

授权
2017-06-23

专利申请权的转移 IPC(主分类):C09G1/02 登记生效日:20170606 变更前: 变更后: 申请日:20160214

专利申请权、专利权的转移
2017-06-23

专利申请权的转移 IPC(主分类):C09G 1/02 登记生效日:20170606 变更前: 变更后: 申请日:20160214

专利申请权、专利权的转移
2016-09-21

实质审查的生效 IPC(主分类):C09G1/02 申请日:20160214

实质审查的生效
2016-09-21

实质审查的生效 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20160214

实质审查的生效
2016-08-24

公开

公开
2016-08-24

公开

公开

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1. 钨化学机械抛光中的凹陷减少 [P] . 中国专利： CN105885699B . 2019.02.19
2. 化学机械抛光中用于减少有图案金属凹陷的组合物和方法 [P] . 中国专利： CN1256992A . 2000-06-21
3. Reduction of dishing in tungsten chemical mechanical polishing [P] . 日本专利： JP6231592B2 . 2017-11-15

机译：减少钨化学机械抛光中的凹陷
4. Method for reducing dishing in chemical mechanical polishing [P] . 美国专利： US6670272B2 . 2003-12-30

机译：减少化学机械抛光中的凹陷的方法
5. Method for reducing dishing in chemical mechanical polishing [P] . 美国专利： US2003054649A1 . 2003-03-20

机译：减少化学机械抛光中的凹陷的方法