存储结构的形成方法、存储结构中通孔的形成方法

摘要

本发明实施例公开了一种存储结构的形成方法以及一种存储结构中通孔的形成方法，该方法包括通过将第一掩膜版划分成第一区域和第二区域，第一区域对应的堆叠单元的深度小于第二区域对应的堆叠单元的深度，并将第一区域中刻蚀孔的直径设置为小于第二区域中刻蚀孔的直径，来使得在后续以第一掩膜版为掩膜刻蚀时，第一区域的刻蚀速度小于第二区域的刻蚀速度，缓解位于不同层的多晶硅层对应的通孔的深度不同，而导致在利用现有技术中的方法同时形成各多晶硅层的通孔时，存在部分区域过刻蚀，部分区域刻蚀不足的现象，提高所述堆叠结构中各多晶硅层对应的接触电阻的均匀度，提高所述3D NAND存储器结构的性能。