具有辐射屏蔽的半导体探测器

摘要

本发明的实施方式涉及具有辐射屏蔽的半导体探测器。一种半导体辐射探测器包括半导体材料的主体层。在所述主体层的第一侧上为场电极以及用于从所述主体层收集辐射诱发的信号电荷的收集电极的布置。辐射屏蔽存在于所述主体层的与所述第一侧相对的第二侧上，该辐射屏蔽选择性地与所述收集电极的位置重叠。