多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

摘要

本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源漏电极分别位于SiN层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层异质结与SiN层之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在SiN钝化层顶部和SiN钝化层、第一层异质结、第二层异质结的两个侧壁。本发明器件栅控能力强，载流子迁移率和饱和速度高，饱和电流大，可用于短栅长的低噪声微波功率器件。