具有垂直结构的氮化镓功率半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底和第一有源层，所述衬底具有第一面和第二面，并且所述第一有源层设置在所述衬底的所述第一面上方。第二有源层设置在所述第一有源层上。所述第二有源层具有比所述第一有源层更高的带隙，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间出现二维电子气层。至少一个沟槽延伸穿过所述第一有源层和所述第二有源层及所述二维电子气层并进入所述衬底中。导电材料内衬于所述沟槽上。第一电极设置在所述第二有源层上并且第二电极设置在所述衬底的所述第二面上。