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一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法

摘要

一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法,其特征在于经过表面除污、碱性腐蚀、化学抛光等预处理,之后采用硫酸140~160g/L、硫酸铝2~4g/L、硫酸镍2~4g/L、草酸4~10g/L、酒石酸15~25g/L、磺基水杨酸5~20g/L的复合电解液在室温下选取带梯形波脉冲信号电流进行阳极氧化,之后在沸水中进行封孔处理。本发明的有益之处在于:本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法提高了成膜速度、常温氧化、能耗低,而且所制备的近共晶铝硅合金阳极氧化膜的孔致密均匀,硬度较高,耐蚀性能好。

著录项

  • 公开/公告号CN105951153B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳工业大学;

    申请/专利号CN201610543354.X

  • 申请日2016-06-29

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号

  • 入库时间 2022-08-23 10:21:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-27

    授权

    授权

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D11/10 申请日:20160629

    实质审查的生效

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/10 申请日:20160629

    实质审查的生效

  • 2016-09-21

    公开

    公开

  • 2016-09-21

    公开

    公开

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