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具有为改进效率配置的低带隙活性层的光敏器件和相关方法

摘要

光敏器件包括活性区域,该活性区域被设置在第一电极和第二电极之间,并且被配置为吸收辐射并且在电极之间生成电压。所述活性区域包括活性层,所述活性层包含展现出相对低的带隙的半导体材料。所述活性层具有前表面以及在所述活性层的相对侧的相对更粗糙的后表面,辐射穿过所述前表面进入所述活性层。制造光敏器件的方法包括形成这样的活性区域和电极。

著录项

  • 公开/公告号CN105051914B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 索泰克公司;

    申请/专利号CN201480012914.8

  • 发明设计人 F·纽曼;

    申请日2014-02-21

  • 分类号

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人吕俊刚

  • 地址 法国伯尔宁

  • 入库时间 2022-08-23 10:17:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-25

    授权

    授权

  • 2016-03-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/068 申请日:20140221

    实质审查的生效

  • 2016-03-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/068 申请日:20140221

    实质审查的生效

  • 2015-11-11

    公开

    公开

  • 2015-11-11

    公开

    公开

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