首页> 中国专利> 铝锗共晶键合的方法

铝锗共晶键合的方法

摘要

一种铝锗共晶键合的方法,包括:提供第一晶圆和第二晶圆,所述第一晶圆具有第一中央区域和第一边缘区域,所述第二晶圆具有第二中央区域和第二边缘区域;在所述第一晶圆的第一边缘区域上形成铝键合层;在所述铝键合层中形成贯穿铝键合层厚度的第一环状凹槽和环绕第一环状凹槽的第二环状凹槽,所述第一环状凹槽和第二环状凹槽之间的铝键合层为中心铝键合层;在所述第二晶圆的第二边缘区域上形成锗键合层,且所述锗键合层的键合表面面积小于等于所述中心铝键合层的键合表面面积;将所述锗键合层的表面与所述中心铝键合层的表面进行键合。所述方法能够控制键合后形成的共晶合金的厚度。

著录项

  • 公开/公告号CN105355613B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201510707366.7

  • 发明设计人 黄锦才;刘玮荪;

    申请日2015-10-27

  • 分类号H01L23/485(20060101);H01L21/603(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴敏

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 10:14:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-10

    授权

    授权

  • 2016-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/485 申请日:20151027

    实质审查的生效

  • 2016-02-24

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号